时间：2025/5/21 10:01:09
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VND830SP13TR 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具备出色的电气特性和可靠性。其封装形式为 SOT-23，适合在空间受限的应用场景中使用。
由于其小尺寸和高性能，VND830SP13TR 广泛用于便携式设备、电源管理模块以及信号切换等应用中。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：370mA
导通电阻：1.5Ω
功耗：420mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装：SOT-23
VND830SP13TR 的关键特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 小型化封装（SOT-23），非常适合对空间有严格要求的设计。
3. 高速开关能力，能够快速响应输入信号的变化。
4. 宽工作温度范围，确保在极端环境条件下仍能保持稳定性能。
5. 符合 RoHS 标准，满足环保法规要求。
6. 良好的抗静电能力，提高了产品的可靠性和耐用性。
该 MOSFET 器件适用于多种电子领域，例如：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器中的低压侧开关。
3. 电池保护电路及负载开关。
4. 便携式设备中的电源管理模块。
5. 各种信号切换和隔离电路。
VND830SP13TR 的高效率和小型化使其成为现代电子产品设计的理想选择。
VNQ010N06LT4
BS170
2N7000
