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AO4822A 发布时间 时间:2025/5/23 3:24:50 查看 阅读:10

AO4822A是一款由Alpha and Omega Semiconductor(万国半导体)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用DFN10封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于多种功率转换应用,如DC-DC转换器、负载开关和同步整流等。其工作电压范围为30V,适合中低压应用场景。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:9.6A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  栅极电荷:23nC
  输入电容:1060pF
  总热阻(结到环境):120℃/W
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AO4822A具有非常低的导通电阻,仅为4.5mΩ,这使其在功率转换应用中能够显著减少传导损耗,提高效率。
  此外,其快速开关性能得益于较低的栅极电荷,可降低开关损耗。
  该器件还具备出色的热性能,在高功率密度设计中表现良好。
  由于采用了DFN10封装,AO4822A具有较小的占板面积和良好的散热能力,非常适合空间受限的应用场景。
  其额定工作温度范围为-55℃至150℃,确保了在极端环境下的可靠运行。

应用

AO4822A广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。常见的应用包括:
  1. DC-DC转换器中的开关管或同步整流管。
  2. 负载开关,用于动态控制电路的通断。
  3. 电池管理系统中的保护开关。
  4. 电机驱动中的功率级开关。
  5. 各类电源适配器和充电器中的功率MOSFET。

替代型号

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AO4822A参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 8.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1250pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1060-6