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DTC143EM 发布时间 时间:2025/7/10 4:24:33 查看 阅读:12

DTC143EM是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用TO-252封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效降低系统功耗并提高效率。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:45mΩ
  总功耗:1.1W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

DTC143EM具备非常低的导通电阻,这使其在高电流应用中表现出色。同时,其栅极电荷较低,有助于实现更快的开关速度并减少开关损耗。
  此外,该器件的工作温度范围较宽,能够适应各种恶劣环境下的应用需求。
  它的封装形式紧凑且散热性能良好,适合对空间有限制的设计场景。

应用

DTC143EM主要应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。具体应用场景包括但不限于:
  1. 开关电源中的同步整流电路
  2. 电机驱动电路中的功率级开关
  3. 负载开关和保护电路
  4. DC-DC转换器中的主开关元件
  5. 各种电池管理系统的充放电控制

替代型号

DTC143E, IRFZ44N, FDP159N

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