时间：2025/7/10 2:29:53
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PESD3V3L2BT,215 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的低电容、高响应速度的 ESD 保护二极管阵列。该器件主要设计用于高速信号线和高频应用中的静电放电（ESD）保护，例如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort 等接口。其出色的电气特性和紧凑的封装形式使其成为需要高性能 ESD 保护解决方案的理想选择。
该器件采用 SOD-962 封装，体积小巧，非常适合空间受限的应用场景。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流：±25A
钳位电压：6.8V
结电容：0.4pF
响应时间：小于1ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：SOD-962
1. 极低的结电容（0.4pF），适合高速数据线保护。
2. 快速响应时间（小于1ns），可有效抑制瞬态电压尖峰。
3. 高度可靠的 ESD 防护能力，符合 IEC 61000-4-2 国际标准，接触放电可达 ±25kV。
4. 超小型 SOD-962 封装，节省 PCB 布局空间。
5. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），适应极端环境下的使用需求。
6. 无铅环保设计，符合 RoHS 指令要求。
1. 高速数据接口保护，如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort。
2. 移动设备及消费类电子产品中的 ESD 保护。
3. 工业控制设备中的信号线保护。
4. 汽车电子系统中的高速通信线路保护。
5. 网络设备中的 I/O 接口保护。
PESD3V3L2BA, PESD3V3L2BCT,215
