H27UCG8T2ATR-BC 是由SK Hynix(海力士)生产的一款NAND闪存芯片,属于3D NAND技术产品。该芯片具有高存储密度和出色的读写性能,广泛应用于固态硬盘(SSD)、嵌入式存储系统以及其他需要大容量非易失性存储的设备中。该型号采用BGA封装形式,具备较高的可靠性和耐用性,适合工业级和消费级应用。
容量:8GB
类型:3D NAND Flash
封装:BGA
接口:ONFI 4.0 / Toggle Mode 2.0
工作电压:1.8V / 3.3V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
擦写寿命:约3000次P/E周期
数据保持时间:10年(典型值)
H27UCG8T2ATR-BC NAND闪存芯片采用先进的3D NAND架构,显著提升了存储密度和数据读写速度。该芯片支持ONFI 4.0和Toggle Mode 2.0接口协议,能够提供高达800MT/s的传输速率,满足高性能存储需求。此外,该芯片具有良好的耐久性和数据保持能力,适用于严苛的工业环境。其低功耗设计和宽工作温度范围,使其在各种应用场景中都能稳定运行。H27UCG8T2ATR-BC还支持ECC(错误校正码)功能,有效提升数据可靠性。
这款NAND芯片的擦写寿命可达3000次P/E周期,意味着它可以承受频繁的数据写入操作,适用于需要高耐用性的应用场景,如监控系统、工业控制设备和嵌入式系统。其10年数据保持能力确保了在长期存储条件下的数据完整性。
H27UCG8T2ATR-BC 主要用于消费类和工业类电子产品中,如固态硬盘(SSD)、嵌入式多介质控制器(eMMC)、UFS存储模块、车载信息娱乐系统、工业计算机、监控设备和便携式电子设备。由于其高容量、高速度和高可靠性,它特别适合用于需要大容量非易失性存储且对数据稳定性和使用寿命有较高要求的应用场景。
H27UCG8T2AMR-BC, H27UCG8T2ATR-LB