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NTHL110N65S3F 发布时间 时间:2025/4/30 10:05:14 查看 阅读:3

NTHL110N65S3F 是一款由 Nexperia(前身为 NXP 的标准产品业务部)生产的高压 MOSFET。该器件采用 Super Junction(超结)技术设计,具备高效率和低导通电阻的特性,适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等功率应用领域。
  该 MOSFET 属于逻辑电平驱动类型,具有较低的栅极驱动电压要求,可以与微控制器或数字电路直接连接,简化了电路设计。

参数

最大漏源电压:650V
  最大连续漏极电流:1.1A
  导通电阻(典型值):920mΩ
  栅极阈值电压:4V
  最大功耗:700mW
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

NTHL110N65S3F 采用了超结技术,能够在保持高耐压的同时降低导通电阻,从而提高效率并减少功率损耗。
  其逻辑电平驱动特性使得栅极驱动更为简单,适用于电池供电设备和其他对效率敏感的应用。
  此外,这款 MOSFET 具有快速开关速度,能够有效降低开关损耗,并且封装小巧,适合空间受限的设计。
  工作温度范围宽广,使其在恶劣环境下的应用更具可靠性。

应用

NTHL110N65S3F 广泛应用于各种功率转换和控制场景,包括但不限于:
  - 开关电源 (SMPS)
  - 电机驱动
  - DC-DC 转换器
  - 电池管理系统 (BMS)
  - 工业自动化控制
  - 家用电器中的功率管理模块
  - 照明系统中的电子镇流器和 LED 驱动

替代型号

NTHL110N65S3G, NTD2955WF, IRF840

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NTHL110N65S3F参数

  • 现有数量0现货2,700Factory
  • 价格1 : ¥61.06000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)110 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 3mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)58 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2560 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)240W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-3
  • 封装/外壳TO-247-3