NTHL110N65S3F 是一款由 Nexperia(前身为 NXP 的标准产品业务部)生产的高压 MOSFET。该器件采用 Super Junction(超结)技术设计,具备高效率和低导通电阻的特性,适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等功率应用领域。
该 MOSFET 属于逻辑电平驱动类型,具有较低的栅极驱动电压要求,可以与微控制器或数字电路直接连接,简化了电路设计。
最大漏源电压:650V
最大连续漏极电流:1.1A
导通电阻(典型值):920mΩ
栅极阈值电压:4V
最大功耗:700mW
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
NTHL110N65S3F 采用了超结技术,能够在保持高耐压的同时降低导通电阻,从而提高效率并减少功率损耗。
其逻辑电平驱动特性使得栅极驱动更为简单,适用于电池供电设备和其他对效率敏感的应用。
此外,这款 MOSFET 具有快速开关速度,能够有效降低开关损耗,并且封装小巧,适合空间受限的设计。
工作温度范围宽广,使其在恶劣环境下的应用更具可靠性。
NTHL110N65S3F 广泛应用于各种功率转换和控制场景,包括但不限于:
- 开关电源 (SMPS)
- 电机驱动
- DC-DC 转换器
- 电池管理系统 (BMS)
- 工业自动化控制
- 家用电器中的功率管理模块
- 照明系统中的电子镇流器和 LED 驱动
NTHL110N65S3G, NTD2955WF, IRF840