CBG321609U900T 是一款高效率的 GaN(氮化镓)功率晶体管,采用先进的增强型场效应晶体管(eGaN FET)技术制造。该器件适用于高频开关应用,能够显著提高电源转换效率并减少系统尺寸。CBG321609U900T 的设计使其非常适合用于 DC-DC 转换器、图腾柱 PFC、无线充电和激光雷达等应用领域。
由于其高电子迁移率和低导通电阻特性,CBG321609U900T 在高频工作条件下表现出色,同时支持快速开关速度和低开关损耗。此外,它具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
类型:增强型 GaN HEMT
封装:UQFN8
最大漏源电压 (Vds):600 V
连续漏极电流 (Id):9 A
栅极阈值电压 (Vgs(th)):1.7 V 至 3.5 V
导通电阻 (Rds(on)):90 mΩ(典型值,@Vgs=6V)
输入电容 (Ciss):485 pF
输出电容 (Coss):24 pF
反向传输电容 (Crss):6.5 pF
开关频率:高达数 MHz
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
CBG321609U900T 提供了卓越的性能表现,主要特性包括:
1. 高效的功率转换能力,得益于其低导通电阻和低开关损耗。
2. 快速开关速度使得其非常适合高频应用,从而减少了磁性元件的尺寸和重量。
3. 增强型设计确保在正向栅极驱动下开启,并在零或负栅极驱动下可靠关闭。
4. 内置 ESD 保护功能增强了器件的可靠性。
5. 小巧的 UQFN8 封装有助于简化 PCB 设计并节省空间。
6. 高温操作能力提高了系统的整体稳定性,特别适合工业和汽车环境下的应用。
CBG321609U900T 广泛应用于多种电力电子领域,具体包括:
1. 高频 DC-DC 转换器,例如服务器、通信设备和电动汽车中的电源模块。
2. 图腾柱功率因数校正(PFC),用于提高家电和工业设备的能源效率。
3. 无线充电系统,特别是需要高效能量传输的小型设备。
4. 激光雷达(LiDAR)脉冲驱动,用于自动驾驶和机器人领域的精确测距。
5. 光伏逆变器和其他可再生能源相关的功率转换系统。
6. USB-PD 充电器和快充适配器,提供更小体积和更高效率的解决方案。
CBG321609U650T, TPH3202PS, GAN042-650WSA