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MT5C6408ECW-20/883C 发布时间 时间:2025/6/27 16:50:19 查看 阅读:6

MT5C6408ECW-20/883C 是由 Micron(美光)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,采用高性能CMOS技术制造。该器件提供8位宽的数据总线和64K位的存储容量(即8K x 8),适用于对速度和可靠性有较高要求的工业、军事及航空航天应用。其封装形式为28引脚陶瓷双列直插式封装(CDIP),符合标准的JEDEC内存产品尺寸规范。

参数

类型:静态RAM(SRAM)
  容量:64K位(8K x 8)
  数据宽度:8位
  电源电压:5V ± 10%
  最大访问时间:20ns
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C(引脚陶瓷双列直插式(CDIP)
  接口类型:并行
  读写控制信号:OE(输出使能)、WE(写使能)、CE(片选)

特性

MT5C6408ECW-20/883C SRAM芯片具备多项优异性能和功能特点。首先,它采用了先进的CMOS工艺,具有低功耗、高噪声免疫性和出色的热稳定性。其最大访问时间为20纳秒,能够满足高速数据处理需求,广泛用于缓存、缓冲存储和嵌入式系统中。
  该器件在极端环境条件下依然表现出色,其宽广的工作温度范围(从-55°C到+125°C)使其非常适合军工、航天和恶劣工业现场的应用。陶瓷封装不仅提供了良好的热传导性能,还能有效抵御外界电磁干扰,提高系统的稳定性和可靠性。
  此外,MT5C6408ECW-20/883C支持异步操作,通过标准的地址和数据总线进行访问,并配备完整的控制信号线(如OE、WE和CE),便于与各种微处理器和控制器连接。其设计也兼容标准SRAM时序,方便用户进行电路设计和系统集成。

应用

由于MT5C6408ECW-20/883C具备高速、高可靠性和宽温工作能力,因此被广泛应用于军事电子设备、航空电子系统、工业自动化控制系统、通信设备、测试仪器以及高端嵌入式系统等领域。尤其适合需要快速数据访问且不能容忍延迟的关键任务系统。

替代型号

IDT7164SA20PFG, CY6264BV30LL-20SXC, AS6C6264-20PCN-B

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