时间：2025/9/2 5:35:15
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H27U1G8F2CFR-BI 是由SK Hynix（海力士）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于高性能、低功耗的闪存存储器，广泛应用于嵌入式系统、固态硬盘（SSD）、移动设备和其他需要非易失性存储的场景。该型号为TSOP封装，支持8位I/O接口，存储容量为1Gb（128MB），采用25nm制造工艺。
容量：1Gb（128MB）
架构：NAND Flash
工艺技术：25nm
封装类型：TSOP
引脚数量：52引脚
接口：8位I/O接口
电压范围：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
读取时间：最大50ns
写入时间：最大50ns
H27U1G8F2CFR-BI 是一款高可靠性的NAND闪存芯片，具备低功耗和高速访问的特性，适合多种嵌入式存储应用。
首先，该芯片采用25nm先进制造工艺，提高了存储密度，同时降低了单位成本，使得其在性价比方面表现出色。这种工艺也帮助降低芯片的功耗，使其更适合于对能效要求较高的便携式设备和嵌入式系统。
其次，该NAND闪存芯片支持8位I/O接口，提供高速的数据传输能力，访问时间最大为50ns，能够满足中高端嵌入式应用对存储速度的需求。其TSOP封装形式也便于在PCB上进行安装和集成，适用于空间受限的设备设计。
此外，H27U1G8F2CFR-BI 支持宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了在不同电源条件下的适应能力，并具备良好的抗干扰能力和数据保持能力。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境下的稳定运行。
该芯片还支持常见的NAND闪存操作命令，如页读取、页写入、块擦除等，并具备一定的错误检测能力（ECC支持），适合用于需要长期可靠运行的系统中。
H27U1G8F2CFR-BI 主要用于各种嵌入式系统，例如数字电视、机顶盒、网络设备、打印机、车载导航系统以及工业控制设备等。此外，它也可用于固态硬盘（SSD）的缓存存储、数据记录设备以及手持式电子产品中，为其提供高效、稳定的非易失性存储解决方案。
H27U1G8F2BFR-BI, H27U1G8F2EFR-BI
