BUK7606-75B 是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型MOSFET,采用DPAK封装形式。这款功率MOSFET主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用领域。其设计特点是低导通电阻和高电流处理能力,能够有效减少功率损耗并提升系统效率。
该器件具有出色的热性能和电气性能,适用于需要高效能与高可靠性的工业和消费类电子设备。
最大漏源电压:75V
连续漏极电流:43A
导通电阻:2.8mΩ
栅极电荷:135nC
输入电容:1960pF
工作温度范围:-55℃ to 150℃
封装形式:TO-263 (DPAK)
BUK7606-75B 提供了非常低的导通电阻(Rds(on)),在典型值为2.8毫欧的情况下,能够在高电流环境下实现更少的功耗。此外,它支持高达75伏特的漏源电压,并可承受43安培的连续漏极电流,非常适合大功率应用场景。
该器件还具有快速开关性能,其栅极电荷仅为135纳库仑,从而降低开关损耗。同时,由于采用了DPAK封装,BUK7606-75B具备优秀的散热性能,确保长时间稳定运行。
另外,它的结温范围宽达-55°C到+150°C,适应各种严苛的工作环境。这些特点使得BUK7606-75B成为众多高效率电力转换电路中的理想选择。
BUK7606-75B 主要用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 负载开关
5. 电池管理系统
6. 工业控制与自动化
7. 消费电子产品中的功率管理模块
BUK7Y3R0-75B
IRF7739
FDP065N07L