TMT30515 时间：2025/8/4 8:41:39 阅读：30

TMT30515 是一款由东芝（Toshiba）推出的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，专为高效率、高频率的电源转换应用而设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，以实现低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。TMT30515通常采用表面贴装（SOP或DFN）封装形式，适用于紧凑型设计的电子设备。它在电源管理、负载开关、DC-DC转换器和电池供电系统等领域有广泛应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：20V
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ VGS=4.5V
　　功率耗散（PD）：2.8W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP8 或 DFN3x3

特性

TMT30515 采用先进的沟槽式MOSFET结构，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其低导通电阻在大电流应用中尤为重要，可以显著降低功率损耗并减少发热。此外，该器件的开关速度快，有助于提高开关频率，适用于高频率的DC-DC转换器和同步整流器。
　　该MOSFET具备较高的热稳定性，能够承受较高的工作温度，并且在高温环境下仍能保持良好的性能。它的栅极驱动电压范围较宽（可支持4.5V至10V），适用于多种栅极驱动电路设计，增强了设计的灵活性。
　　封装方面，TMT30515通常采用小型表面贴装封装，如SOP8或DFN3x3，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于高密度PCB布局。同时，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适合现代电子产品对环保的要求。