时间：2025/5/23 20:21:36
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BSC067N06LS3 G是一款来自英飞凌（Infineon）的MOSFET芯片，采用先进的TRENCHSTOP技术制造。该器件属于OptiMOS系列，专为高效率、高频开关应用设计。其封装形式为PG-DSO-8，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于直流-直流转换器、电机驱动、太阳能逆变器等功率转换场景。
这款MOSFET的最大额定电压为60V，连续漏极电流可达29A（在环境温度25℃时）。得益于其低导通电阻和优化的栅极电荷特性，BSC067N06LS3 G能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：29A
导通电阻（典型值）：6.7mΩ
栅极电荷（Qg）：17nC
开关时间：典型开启时间11ns，典型关闭时间24ns
封装形式：PG-DSO-8
工作结温范围：-55℃至175℃
BSC067N06LS3 G采用了英飞凌的OptiMOS技术，具备卓越的热性能和电气性能。
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高效率。
2. 快速的开关速度和低栅极电荷，适合高频操作。
3. 内置ESD保护电路，提高了器件的鲁棒性。
4. 支持高工作结温（最高175℃），确保在恶劣环境下可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且适用于多种工业和消费类应用场景。
BSC067N06LS3 G广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 工业电机控制和驱动
4. 太阳能微型逆变器
5. 电动工具和家电中的高效功率管理
6. 汽车电子中的辅助功能模块
由于其高效的功率处理能力和紧凑的设计，该器件特别适合需要高性能和小型化解决方案的应用场合。
BSC068N06NS3 G, IRFZ44N, FDP067N06L
