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BSC067N06LS3 G 发布时间 时间:2025/5/23 20:21:36 查看 阅读:9

BSC067N06LS3 G是一款来自英飞凌(Infineon)的MOSFET芯片,采用先进的TRENCHSTOP技术制造。该器件属于OptiMOS系列,专为高效率、高频开关应用设计。其封装形式为PG-DSO-8,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,非常适合用于直流-直流转换器、电机驱动、太阳能逆变器等功率转换场景。
  这款MOSFET的最大额定电压为60V,连续漏极电流可达29A(在环境温度25℃时)。得益于其低导通电阻和优化的栅极电荷特性,BSC067N06LS3 G能够有效降低功耗并提升系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:29A
  导通电阻(典型值):6.7mΩ
  栅极电荷(Qg):17nC
  开关时间:典型开启时间11ns,典型关闭时间24ns
  封装形式:PG-DSO-8
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

BSC067N06LS3 G采用了英飞凌的OptiMOS技术,具备卓越的热性能和电气性能。
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高效率。
  2. 快速的开关速度和低栅极电荷,适合高频操作。
  3. 内置ESD保护电路,提高了器件的鲁棒性。
  4. 支持高工作结温(最高175℃),确保在恶劣环境下可靠运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且适用于多种工业和消费类应用场景。

应用

BSC067N06LS3 G广泛应用于各种功率电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 工业电机控制和驱动
  4. 太阳能微型逆变器
  5. 电动工具和家电中的高效功率管理
  6. 汽车电子中的辅助功能模块
  由于其高效的功率处理能力和紧凑的设计,该器件特别适合需要高性能和小型化解决方案的应用场合。

替代型号

BSC068N06NS3 G, IRFZ44N, FDP067N06L

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BSC067N06LS3 G参数

  • 数据列表BSC067N06LS3 G
  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列OptiMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.7 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 35µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5100pF @ 30V
  • 功率 - 最大69W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PG-TDSON-8(5.15x6.15)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSC067N06LS3 G-NDBSC067N06LS3 GINTRSP000451084