时间：2025/7/16 12:00:37
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GTLP16617MEA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于电源管理、电机驱动以及工业控制领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。其设计旨在优化效率并减少能量损耗，非常适合于对能效要求较高的应用场合。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，能够提供卓越的电流处理能力和电压耐受能力，同时支持高频操作。由于其出色的电气特性，GTLP16617MEA 广泛用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、LED 驱动器以及其他需要高效功率转换的场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：2200pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247
GTLP16617MEA 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用环境。
3. 高电流承载能力，可满足大功率需求。
4. 强大的雪崩能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
5. 支持宽泛的工作温度范围，适应多种恶劣工况。
6. 封装形式坚固耐用，便于散热设计。
GTLP16617MEA 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机驱动与控制。
3. 大功率 LED 照明驱动电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电保护。
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电力电子系统。
6. 各类消费类电子产品中的负载开关和电源管理模块。
GTLP16618MEA, IRF16617
