类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：5.5A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ（典型值，VGS=10V）
　　阈值电压(VGS(th))：1.0V至2.5V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TSOP6
　　功率耗散(PD)：1.5W

NP52N055ILE 具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。其次，该MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，优化了电场分布，提升了器件的耐压能力和开关性能。
　　此外，该器件具有较高的栅极电荷（Qg）控制能力，有助于在高频开关应用中减少驱动损耗。其宽泛的栅源电压范围（±20V）增强了其在不同电路设计中的适应性。同时，器件具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行，适合在严苛的工业和车载环境中使用。
　　封装方面，NP52N055ILE采用TSOP6封装，体积小巧，便于PCB布局并节省空间，适用于便携式电子设备和紧凑型电源模块的设计。

NP52N055ILE MOSFET适用于多种功率电子应用。常见用途包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、负载开关和电机驱动电路。由于其低导通电阻和高开关速度，该器件在需要高效率和快速响应的电源管理模块中表现出色，例如在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备的电源电路中广泛使用。
　　此外，该MOSFET也适合用于工业自动化设备、LED照明驱动器以及车载电子系统中的电源控制模块。在汽车应用中，其优异的热性能和高可靠性可满足车载环境对电子元件的严苛要求。

Si2302DS、FDN304P、FDS6680、TPS62000、AO4406