型号：GT28F800B3T120
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：8 Mbit (1 MB)
　　组织结构：512K x 16 bits
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：120 ns
　　封装类型：TSOP-48
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　接口类型：并行（x16）
　　擦写耐久性：100,000次/扇区
　　数据保持时间：10年以上

GT28F800B3T120具备多项关键技术特性，使其在嵌入式非易失性存储应用中表现出色。首先，该芯片采用Intel的多级单元（MLC）StrataFlash技术，能够在单个存储单元中存储多个比特信息，从而提高存储密度并降低成本。尽管是早期MLC实现，但在可靠性方面仍做了大量优化，确保在复杂环境下稳定运行。其次，芯片支持灵活的扇区架构，整个8Mbit空间被划分为64个独立可擦除的扇区，每个扇区大小为128 KB，允许用户进行精细的数据管理与局部更新，避免全片擦除带来的效率损失。这种扇区保护机制还支持硬件和软件双重写保护功能，有效防止误擦除或误编程，提升系统安全性。
　　此外，GT28F800B3T120内置高性能的命令执行引擎，支持标准的JEDEC命令集，如读取、编程、扇区擦除、挂起操作等。其中，编程挂起功能尤为实用，允许在长时间擦除操作过程中临时中断并执行读取操作，极大提升了实时系统的响应能力。芯片的访问时间为120纳秒，能够满足大多数中速微处理器的总线时序要求，适用于与ARM、PowerPC、MIPS等架构的处理器直接接口。其低功耗设计包括待机模式和深度掉电模式，在待机状态下电流仅为数微安，显著延长了便携设备的电池寿命。
　　在可靠性方面，该器件经过严格测试，具备优异的抗干扰能力和宽温工作性能（-40°C至+85°C），可在工业级环境中长期稳定运行。芯片还集成了内部电荷泵电路，无需外部高压编程电源即可完成写入和擦除操作，简化了系统电源设计。错误检测与纠正（ECC）机制虽不如现代NAND Flash完善，但在正常操作下仍能保证较高的数据完整性。总体而言，GT28F800B3T120以其成熟的技术、良好的兼容性和稳定的供货记录，成为许多经典嵌入式系统设计中的首选Flash解决方案。

GT28F800B3T120主要应用于对稳定性、可靠性和实时性有较高要求的嵌入式系统领域。一个典型的应用场景是网络通信设备，如路由器、交换机和DSL调制解调器，其中该芯片用于存储固件（Bootloader）、操作系统镜像和配置参数。由于NOR Flash具备XIP（eXecute In Place）能力，处理器可直接从该芯片中执行代码，无需先加载到RAM，从而加快启动速度并节省内存资源，这在网络设备快速开机和故障恢复中至关重要。
　　在工业自动化与控制领域，GT28F800B3T120常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块中，用于保存控制程序、校准数据和历史日志。其宽温特性和抗电磁干扰能力使其能在恶劣工厂环境中稳定运行。此外，在医疗电子设备中，如便携式监护仪、超声成像设备的控制板，该芯片用于存储设备校准参数和诊断程序，确保每次使用时都能准确调用关键数据。
　　消费类电子和汽车电子也曾广泛采用此类Flash芯片。例如，在早期的机顶盒、数字电视和车载导航系统中，GT28F800B3T120用于存放启动代码和用户界面资源。虽然目前已被更高密度的SPI NOR或NAND Flash逐步替代，但在一些老旧型号或长期服役系统中仍可见其身影。此外，测试测量仪器、POS终端和安防监控设备也利用其快速随机读取特性来提升系统响应速度。总的来说，GT28F800B3T120凭借其成熟的设计和广泛的兼容性，在多个行业中扮演了关键的非易失性存储角色。

SST39VF800A-120-4C-NHE-T
　　MX29GL080TC-120G2I003
　　EN29LV800T-12II