时间:2025/12/26 20:37:45
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16RIA20是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的表面贴装肖特基势垒整流二极管,专为高效率、低电压直流应用而设计。该器件采用双共阴极配置,包含两个独立的肖特基二极管,共享同一个阴极连接,适用于需要紧凑型封装和高效能转换的电源管理电路。16RIA20广泛应用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、续流/箝位电路以及电池充电系统中。其低正向压降和快速反向恢复特性使其在高频工作条件下表现出色,有助于降低功耗并提高系统整体效率。该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的热稳定性和可靠性,适合在工业控制、消费电子和通信设备等多种环境中使用。16RIA20的额定平均整流电流可达16A,最大重复峰值反向电压为20V,能够在严苛的工作条件下保持稳定性能。此外,它采用先进的制造工艺,确保了器件的一致性和长期耐用性,是现代高密度电源设计中的理想选择之一。
型号:16RIA20
制造商:STMicroelectronics
器件类型:肖特基势垒整流二极管
配置:双共阴极
最大重复峰值反向电压(VRRM):20V
最大直流阻断电压(VR):20V
平均整流电流(IF(AV)):16A(单个二极管)
峰值浪涌电流(IFSM):150A(8.3ms单半正弦波)
最大正向电压降(VF):0.54V @ 8A, 0.62V @ 16A(每二极管,典型值)
最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 20V(TA=25°C),随温度升高而增加
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
封装类型:TO-277(D2PAK)
安装方式:表面贴装(SMD)
引脚数:3
热阻(RθJC):约1.5°C/W(典型)
符合标准:RoHS compliant, halogen-free
16RIA20的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结,从而实现了极低的正向导通压降和近乎零的反向恢复时间。这一特性显著降低了二极管在导通状态下的功率损耗,尤其在大电流应用场景下节能效果明显。由于没有少数载流子的存储效应,肖特基二极管在开关过程中不会产生明显的反向恢复电流尖峰,这不仅减少了电磁干扰(EMI),还避免了因反向恢复引起的额外功耗,提高了电源系统的整体效率。
该器件设计为双共阴极结构,即两个肖特基二极管共享一个公共阴极端子,这种配置非常适合用于中心抽头变压器的全波整流电路或同步整流拓扑中。相较于分立式单二极管方案,集成双管结构节省了PCB空间,简化了布局布线,并提升了热管理效率。TO-277(D2PAK)封装具有优良的散热性能,底部暴露的铜焊盘可直接连接至PCB上的大面积接地铜箔,有效降低热阻,确保在高负载条件下仍能维持较低的结温。
16RIA20具备宽泛的工作温度范围(-65°C 至 +175°C),使其能够在极端环境温度下可靠运行,适用于汽车电子、工业自动化等对可靠性要求较高的领域。其高达150A的峰值浪涌电流能力也增强了对瞬态过流事件的耐受性,如开机冲击电流或负载突变情况下的保护能力。此外,器件通过AEC-Q101等车规级认证的可能性较高,进一步拓展了其在新能源汽车车载充电机、DC-DC转换器等领域的应用前景。所有电气参数均经过严格测试和筛选,保证产品一致性与长期稳定性。
16RIA20主要应用于需要高效能、低电压整流的电源系统中。典型用途包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流环节,尤其是在低压大电流输出场景如5V、3.3V或更低电压的DC-DC转换器中,其低正向压降可显著提升转换效率。在同步整流架构尚未普及或成本受限的设计中,16RIA20作为非同步整流元件仍具有重要价值。
在便携式电子设备和嵌入式系统中,该器件可用于电池充放电管理电路中的防倒灌二极管或路径切换元件。在太阳能微逆变器或LED驱动电源中,16RIA20可用于续流或箝位功能,抑制感性负载产生的反电动势,保护主开关器件。
工业控制设备中的电机驱动模块常使用此类肖特基二极管作为续流二极管,以提供电感电流的回流路径,防止电压尖峰损坏MOSFET或IGBT。此外,在服务器电源、电信设备电源单元以及笔记本电脑适配器中,16RIA20因其高电流承载能力和良好热性能而被广泛采用。
由于其表面贴装封装形式,16RIA20适用于自动化贴片生产线,适合大规模生产。同时,其坚固的结构设计也支持回流焊接工艺,确保组装过程中的可靠性。在汽车电子领域,该器件可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统及辅助电源系统,满足高温环境下的长期稳定运行需求。
SB1620CT
MBR1620
SS1620