时间：2025/8/21 5:22:08
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250130FS006G100ZR 是一款由 Micron Technology, Inc. 生产的 NOR 闪存芯片。这款存储器芯片通常用于需要高速随机读取访问的应用，例如代码存储和执行。该器件采用非易失性存储技术，能够在断电后保留数据。它主要用于工业控制、网络设备、通信基础设施和嵌入式系统等场景。这款芯片封装为TSOP，引脚数量为56，便于集成到各种电子系统中。
存储容量：128Mbit
存储类型：NOR Flash
电源电压：2.3V~3.6V
接口类型：并行
访问时间：100ns
工作温度：-40°C~+85°C
封装类型：TSOP
引脚数量：56
读取电流：100mA（典型值）
待机电流：10mA（典型值）
编程/擦除电压：内部电荷泵提供
250130FS006G100ZR NOR 闪存芯片具备一系列先进的特性，使其在嵌入式系统和工业应用中表现出色。首先，该芯片的存储容量为128Mbit，支持存储大量固件或程序代码，满足现代设备日益增长的代码复杂性需求。其 NOR Flash 架构支持快速随机访问，访问时间仅为100ns，使得该芯片非常适合需要快速执行代码的场景。
其次，该芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V，具有较宽的电压适应范围，适用于不同供电环境的系统。这种宽电压设计不仅提高了器件的适用性，还能在电源波动较大的情况下保持稳定运行。同时，芯片的典型读取电流为100mA，而待机电流仅为10mA，具备良好的低功耗性能，有助于延长电池供电设备的续航时间。
250130FS006G100ZR NOR 闪存芯片广泛应用于多个高性能和高可靠性的电子系统领域。首先，在工业控制系统中，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和工业计算机，该芯片用于存储系统引导代码、应用程序和关键数据。其高速访问和宽温特性使其在恶劣的工业环境中依然保持稳定。
25L128.FASIG00, 25P128.FASIG00, S25FL128SAGBHI21
