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IRLHS6276TR2PBF 发布时间 时间:2025/7/1 21:09:28 查看 阅读:22

IRLHS6276TR2PBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管,采用TOLL封装形式。该器件属于OptiMOS系列,专为高效率、低导通电阻和快速开关性能设计,适用于多种电力电子应用场合,例如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理模块等。
  这款MOSFET采用了先进的制造工艺,在降低导通损耗的同时提高了开关速度,从而提升了整体系统的能效表现。其优异的热性能和坚固的设计使得IRLHS6276TR2PBF能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。

参数

最大漏源电压:150V
  最大连续漏极电流:84A
  最大Rds(on):1.2mΩ
  栅极电荷:39nC
  总电容:1850pF
  工作温度范围:-55℃ to 175℃
  封装类型:TOLL

特性

IRLHS6276TR2PBF具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),在不同工作条件下均能提供高效的电流传导能力,减少功率损耗。
  2. 高电流处理能力,能够承受高达84A的连续漏极电流,满足大功率应用场景需求。
  3. 快速开关性能,得益于优化的栅极电荷设计,确保在高频操作下依然保持高效与稳定。
  4. TOLL封装提供出色的散热性能,有助于提升系统可靠性和长期运行稳定性。
  5. 宽广的工作温度范围,适应从低温至高温的各种环境条件。

应用

该器件广泛应用于各类电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 工业电机控制与驱动,用于精确调节电机转速和扭矩。
  2. 开关模式电源(SMPS),作为核心功率开关元件提高转换效率。
  3. 新能源领域中的逆变器和转换器,助力太阳能发电及储能系统。
  4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的动力总成系统,参与电池管理和电能分配。
  5. 各种高功率密度的DC-DC转换器设计,实现高效的电压调整功能。

替代型号

IRLB8748PBF, IRF7702TRPBF

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IRLHS6276TR2PBF参数

  • 特色产品Dual PQFN 2x2 and Dual PQFN 3.3x3.3 Power MOSFETs
  • 标准包装400
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 3.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.1V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs3.1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds310pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-PowerVQFN
  • 供应商设备封装6-PQFN(2x2)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLHS6276TR2PBFTR