类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.6A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　安装类型：表面贴装

GS1510-CQRE3具有多项优异的电气和物理特性，首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下较低的功率损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得其在高频开关应用中表现优异，适用于现代高效率电源转换系统。
　　其次，GS1510-CQRE3具备良好的热稳定性，其TO-252封装结构有助于快速散热，从而确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。该MOSFET的最大漏极电流在25℃环境温度下可达5.6A，同时其最大漏源电压为100V，能够满足多种中高功率应用场景的需求。
　　另外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用标准的MOSFET驱动电路进行控制。其封装形式为表面贴装型TO-252，便于自动化生产和高效PCB布局。由于其优异的电气特性、稳定的工作性能以及紧凑的封装设计，GS1510-CQRE3在工业控制、电源管理系统、便携式电子设备以及汽车电子等领域具有广泛的应用前景。

GS1510-CQRE3适用于多种高频率、中高功率的电子系统中，主要应用包括DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电源管理模块以及电池供电设备。此外，该MOSFET也广泛应用于工业自动化控制、LED照明驱动电路以及消费类电子产品中的电源调节系统。

SiSS1510N-T1-E3, FDS4410A, IRFZ44N