PWC980G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备高效率、低导通电阻和快速开关特性。PWC980G支持较高的工作电压,能够承受较大的电流,并在高温环境下保持稳定的性能。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:12A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:35nC
输入电容:1200pF
反向恢复时间:45ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
PWC980G具有以下显著特性:
1. 高击穿电压,适用于高压环境下的功率转换应用。
2. 低导通电阻设计,有效降低功耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度,减少开关损耗。
4. 优异的热稳定性,在高温条件下仍能保持良好的性能。
5. 强大的抗雪崩能力,确保器件在异常条件下也能安全运行。
6. 小型封装设计,节省PCB空间。
PWC980G广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统(BMS)
5. 工业自动化设备中的负载切换
6. LED驱动器
7. 光伏逆变器和其他新能源相关设备
PWC980H, IRFZ44N, FQP17N06