M514260C-60J 时间：2025/9/29 18:23:58 阅读：6

M514260C-60J是一款由日本电气（NEC）公司生产的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于低功耗、高速度的静态RAM系列，广泛应用于需要可靠数据存储和快速读写响应的电子系统中。M514260C-60J采用64K x 4位的组织结构，总存储容量为256K位（32KB），适用于多种工业控制、通信设备、消费类电子产品以及嵌入式系统中的缓存或临时数据存储需求。该芯片设计符合标准的JEDEC封装规范，具有良好的兼容性和稳定性。其工作电压通常为5V±10%，适合在标准TTL电平接口下运行，同时具备较低的静态和动态功耗特性，有助于延长便携式设备的电池寿命。M514260C-60J采用双列直插DIP或表面贴装SOP封装形式，便于在各种PCB布局中使用，并支持商业级或工业级温度范围，确保在不同环境条件下稳定运行。作为一款成熟的SRAM产品，M514260C-60J在上世纪90年代至2000年代初期被广泛采用，尽管目前已被更先进的低电压、高密度存储器部分替代，但在一些老旧设备维护、工业控制系统升级或特定领域仍有应用价值。

参数

型号：M514260C-60J
　　制造商：NEC
　　类型：CMOS SRAM
　　存储容量：256Kbit (64K x 4)
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：60ns
　　工作温度：0°C 至 +70°C
　　封装类型：44-pin SOJ
　　输入/输出逻辑电平：TTL 兼容
　　组织方式：64K x 4
　　读写操作：支持异步读写
　　待机电流：典型值 100μA
　　工作电流：典型值 40mA
　　芯片使能（CE）：低电平有效
　　输出使能（OE）：低电平有效
　　写使能（WE）：低电平有效

特性

M514260C-60J具备多项关键特性，使其在当时的嵌入式系统和工业电子设备中表现出色。首先，其60纳秒的快速访问时间确保了高效的数据读写性能，适用于对响应速度要求较高的应用场景，如实时控制系统、网络交换设备缓存或打印机缓冲区管理。其次，该芯片采用CMOS工艺制造，显著降低了功耗，尤其在待机模式下电流可低至100微安左右，这对于依靠电池供电或对能耗敏感的设备至关重要。此外，M514260C-60J支持全静态操作，意味着只要供电持续，数据即可永久保持，无需刷新机制，简化了系统设计并提高了可靠性。
　　该器件具备完整的三态输出控制功能，允许多个存储器或外设共享同一数据总线，通过芯片使能（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）信号实现精确的时序控制，避免总线冲突。其TTL电平兼容性使得它可以无缝连接到广泛的微控制器、微处理器和逻辑电路，无需额外的电平转换电路，降低了系统复杂性和成本。封装方面，44引脚SOJ（Small Outline J-leaded Package）设计提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程。
　　M514260C-60J还具备高抗干扰能力和宽电源电压容忍度（4.5V~5.5V），能够在电源波动较大的环境中稳定运行。其工业级温度范围（0°C 至 +70°C）保证了在高温工业环境或封闭机箱内长期工作的可靠性。虽然该芯片已逐渐退出主流市场，但由于其成熟的设计和稳定的性能，在某些军工、医疗或工业设备的维修与替换中仍具参考价值。此外，由于其引脚定义和时序符合行业标准，工程师在进行旧设备维护或逆向工程时可以较容易地理解和集成该器件。总体而言，M514260C-60J代表了早期高性能CMOS SRAM的技术水平，是当时嵌入式存储解决方案中的重要组成部分。

应用

M514260C-60J的应用领域涵盖了多个电子系统类别。它常用于各类通信设备中作为数据缓冲存储器，例如传真机、调制解调器和早期的网络路由器，用于临时存储传输过程中的数据包或协议信息。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）或人机界面（HMI）设备中，作为程序变量或状态标志的存储介质，保障实时数据的快速存取。
　　在消费类电子产品方面，M514260C-60J曾广泛应用于打印机、复印机和扫描仪等办公设备中，用作图像数据或打印队列的缓存。其高速读写能力有助于提升设备的整体响应速度和处理效率。此外，在测试测量仪器如示波器、频谱分析仪中，该SRAM可用于采集瞬态信号的临时存储，配合ADC和MCU完成高速数据捕获任务。
　　在嵌入式系统开发板或早期单板计算机中，M514260C-60J也常被用作外部扩展RAM，弥补主控芯片内部存储资源的不足。由于其异步接口简单易用，非常适合8位或16位微处理器系统的存储扩展设计。即使在当前，一些老旧设备的维护和备件替换仍然依赖于此类经典SRAM型号，因此在售后维修市场中仍有一定需求。