时间：2025/7/18 8:48:26
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GRT31MR61C685KE01L 是一款高性能、低功耗的存储器芯片，属于 MRAM（磁阻随机存取存储器）系列。该芯片采用先进的自旋转移力矩磁性随机存取存储器（STT-MRAM）技术，具备非易失性、高速读写和高耐用性的特点。其设计适用于需要快速数据保存和频繁访问的应用场景，如工业控制、汽车电子和物联网设备等。
该型号具有高度可靠的性能，在极端温度和高振动环境下也能保持稳定工作，是传统闪存和 SRAM 的理想替代方案。
容量：64Kb
接口类型：SPI
工作电压：1.71V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：WLCSP-8
数据保留时间：超过20年
写入次数：无限次（>1E15 cycles）
读取时间：小于35ns
写入时间：小于35ns
GRT31MR61C685KE01L 提供了多种优越的特性。首先，它采用了 STT-MRAM 技术，确保数据在断电后仍然可以保存，同时提供比传统存储器更快的写入速度和更低的功耗。其次，这款芯片具有非常高的耐用性，支持无限次的读写操作，使其非常适合高频使用环境。
此外，该芯片的工作温度范围宽广，能够在极端条件下稳定运行，这使其成为汽车电子和工业控制应用的理想选择。它的封装形式紧凑，适合空间受限的设计。最后，其超长的数据保留时间和低延迟响应进一步提升了系统性能和可靠性。
GRT31MR61C685KE01L 广泛应用于需要高可靠性和高性能的领域。常见的应用场景包括：
1. 汽车电子：用于实时数据记录、引擎控制单元（ECU）和自动驾驶系统的数据存储。
2. 工业自动化：用作工厂设备中的固件存储和关键数据备份。
3. 物联网设备：为边缘计算节点提供快速、持久的数据存储能力。
4. 消费类电子产品：例如数码相机、可穿戴设备等需要快速启动和数据保存的场景。
5. 医疗设备：用于生命体征监测仪、便携式诊断设备等需要长时间数据存储的场合。
GRT31MR61C685KE01H, GRT31MR61C685KE01M
