时间：2025/10/7 0:34:25
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UPT2G220MPD是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC，现属于Qorvo）生产的高性能硅 carbide（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率和高温环境下的电力电子应用而设计。该器件采用第二代SiC技术制造，具备出色的开关性能和导通特性，能够显著提升电源系统的整体效率并减小系统体积。UPT2G220MPD的额定电压为2200V，平均正向电流为2A，适用于工业电机驱动、可再生能源系统、不间断电源（UPS）、电动汽车充电设备以及高压直流输电等高端功率转换场合。
这款二极管不具有反向恢复电荷（Qrr≈0），因此在高频开关条件下几乎不会产生反向恢复损耗，从而大幅降低电磁干扰（EMI）并提高系统可靠性。其宽禁带半导体材料特性使其能够在高达175°C的结温下稳定工作，远高于传统硅基二极管的耐温能力。UPT2G220MPD采用TO-220AC封装，便于安装于标准散热器上，适合通孔焊接工艺，在工业级应用场景中具有良好的热稳定性和机械强度。
器件型号：UPT2G220MPD
制造商：UnitedSiC (Qorvo)
产品类型：碳化硅肖特基二极管
反向重复峰值电压 VRRM：2200 V
平均正向整流电流 IF(AV)：2 A
最大正向压降 VF(max)：1.7 V @ 2A
反向漏电流 IR：250 μA @ 25°C, 2200V
反向恢复时间 trr：0 ns (无反向恢复电荷)
工作结温范围 TJ：-55 至 +175 °C
存储温度范围 Tstg：-55 至 +175 °C
封装类型：TO-220AC
安装类型：通孔
热阻 RθJC：30 °C/W
UPT2G220MPD的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越电学性能。与传统的硅PIN二极管相比，该器件采用肖特基势垒结构，从根本上消除了少数载流子的储存效应，因而不存在反向恢复电荷（Qrr），在高频开关操作中不会引发额外的开关损耗或电压振铃现象。这一特性对于使用硬开关拓扑如PFC（功率因数校正）、DC-DC变换器和逆变器的应用尤为重要，能有效减少对缓冲电路的需求，简化系统设计，并提升整体能效。
该二极管在2A电流下的最大正向压降仅为1.7V，虽然略高于某些低电压硅器件，但在2200V高耐压等级下已属优异水平，有助于降低导通损耗。同时，其反向漏电流控制在250μA以内（25°C时），尽管随着温度升高会有所增加，但仍处于可接受范围内，尤其考虑到其高耐压能力和高温运行特性。此外，UPT2G220MPD可在-55°C至+175°C的宽结温范围内可靠工作，展现出卓越的热稳定性，适用于恶劣环境下的长期运行。
得益于TO-220AC封装形式，UPT2G220MPD具备良好的热传导路径，RθJC仅为30°C/W，意味着在合理散热设计下可有效将内部热量传递至外部环境，避免局部过热导致失效。该封装也支持与其他功率器件共用散热片，有利于模块化设计。由于没有反向恢复带来的EMI问题，系统可以采用更高的开关频率，从而减小磁性元件和滤波器的尺寸，实现更高功率密度的设计目标。总体而言，UPT2G220MPD是一款面向下一代高效能电源系统的理想选择，特别适合追求小型化、高效率和高可靠性的现代电力电子设备。
UPT2G220MPD广泛应用于需要高电压阻断能力和高效率功率转换的领域。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS），尤其是在大功率服务器电源和电信电源系统中，用于输出整流或辅助电源回路，利用其零反向恢复特性提升轻载和满载效率。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧升压电路中的续流或整流路径，帮助实现高效率能量转换，并适应快速变化的日照条件。
在电动汽车充电桩（尤其是直流快充桩）中，UPT2G220MPD可用于PFC升压二极管位置，承担高电压应力和高频开关任务，其低损耗特性有助于提高充电模块的整体能效并减少散热需求。同样，在风力发电变流器中，该二极管可用于网侧或机侧变换器中的箝位或续流功能，确保系统在电网波动或故障情况下仍能安全运行。
其他应用还包括不间断电源（UPS）系统中的升压/降压整流环节、高压直流配电系统中的隔离整流桥、感应加热设备以及医疗电源等对可靠性要求极高的场合。由于其可在175°C结温下持续工作，也适用于密闭空间或自然冷却条件下的紧凑型电源设计。此外，在一些高频航空电源和铁路牵引系统中，UPT2G220MPD也能发挥其高频响应和高耐压的优势，满足严苛的环境和性能要求。
UF3C220650K4S
UFS2G220MPD
C4D200220D
