4D5N60F是一款N沟道增强型功率MOSFET,适用于高频率开关应用。该器件具有高击穿电压、低导通电阻以及优异的热稳定性,广泛应用于电源转换、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):5A(@25℃)
功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
导通电阻(Rds(on)):典型值为1.8Ω(@Vgs=10V)
封装形式:TO-220
栅极电荷(Qg):约18nC
输入电容(Ciss):约720pF
4D5N60F具有多项优异性能,使其适用于高频率和高效率的开关电路。首先,其600V的高漏源电压使其适合用于高电压环境,例如AC-DC转换器和功率因数校正(PFC)电路。其次,该MOSFET的低导通电阻(Rds(on))可有效降低导通损耗,从而提高整体效率。此外,其封装形式为TO-220,具备良好的散热能力,有助于在高功率下保持稳定运行。
该器件的栅极电荷(Qg)较低,使得开关速度更快,减少了开关损耗,适合用于高频开关电源。同时,其输入电容较小,有助于降低驱动电路的负担,提高系统的动态响应能力。4D5N60F还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性,能够在极端条件下保持可靠性。
由于采用了先进的制造工艺,该MOSFET在高温下仍能保持稳定的电气性能。其栅极氧化层具有高耐压能力,可承受高达±20V的栅源电压,增强了在复杂电路环境中的适用性。
4D5N60F广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、LED驱动电源、电池充电器以及工业自动化控制系统。其高频特性使其特别适用于需要快速开关的场合,如开关电源(SMPS)和谐振变换器。此外,该器件也可用于家用电器、新能源系统(如太阳能逆变器)及电动工具等高可靠性要求的领域。
4D5N60F的替代型号包括:4N60F、5N60F、6D5N60F、FQP5N60C、STP5NK60Z