4D5N60F 时间：2025/9/12 10:22:33 阅读：35

4D5N60F是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件具有高击穿电压、低导通电阻以及优异的热稳定性，广泛应用于电源转换、电机驱动、DC-DC转换器等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：5A（@25℃）
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.8Ω（@Vgs=10V）
　　封装形式：TO-220
　　栅极电荷(Qg)：约18nC
　　输入电容(Ciss)：约720pF

特性

4D5N60F具有多项优异性能，使其适用于高频率和高效率的开关电路。首先，其600V的高漏源电压使其适合用于高电压环境，例如AC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路。其次，该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，从而提高整体效率。此外，其封装形式为TO-220，具备良好的散热能力，有助于在高功率下保持稳定运行。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，使得开关速度更快，减少了开关损耗，适合用于高频开关电源。同时，其输入电容较小，有助于降低驱动电路的负担，提高系统的动态响应能力。4D5N60F还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，能够在极端条件下保持可靠性。
　　由于采用了先进的制造工艺，该MOSFET在高温下仍能保持稳定的电气性能。其栅极氧化层具有高耐压能力，可承受高达±20V的栅源电压，增强了在复杂电路环境中的适用性。

应用

4D5N60F广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、LED驱动电源、电池充电器以及工业自动化控制系统。其高频特性使其特别适用于需要快速开关的场合，如开关电源（SMPS）和谐振变换器。此外，该器件也可用于家用电器、新能源系统（如太阳能逆变器）及电动工具等高可靠性要求的领域。