SSS5NK80是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换应用,具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点。SSS5NK80广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器以及各种高功率电子设备中。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):800V
连续漏极电流(Id):5A(在25°C)
栅极阈值电压(Vgs(th)):约3V至5V
导通电阻(Rds(on)):约1.2Ω(最大值)
功率耗散(Ptot):50W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
SSS5NK80的主要特性包括其高耐压能力(800V),这使得它适用于各种高压开关应用。该器件的导通电阻较低,有助于减少导通损耗并提高电源转换效率。
此外,SSS5NK80具有良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定工作。其TO-220封装形式提供了良好的散热性能,并便于在PCB上安装和使用。
该MOSFET还具有快速开关能力,适合用于高频开关电源设计。其栅极驱动要求较低,通常可以与标准的PWM控制器直接配合使用,无需额外的驱动电路。
SSS5NK80主要用于开关电源(SMPS)中作为主开关器件,也可用于DC-DC转换器、逆变器和电机驱动电路。由于其高耐压和良好的导通性能,它非常适合用于需要高效率和高可靠性的电源系统中。此外,该器件也可用于LED照明驱动、电池充电器和工业控制设备中的功率开关。
STP5NK80Z, STD5NK80, STD5NK80T0