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IS41LV16105B-50KL 发布时间 时间:2025/9/1 11:42:05 查看 阅读:10

IS41LV16105B-50KL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗CMOS动态随机存取存储器(DRAM)。该器件是一款1M x 16位的DRAM芯片,采用异步设计,适用于需要快速数据访问的高性能系统。该芯片采用50ns的访问时间,工作电压为3.3V,适合用于通信、工业控制、嵌入式系统以及计算机外设等领域。

参数

容量:1M x 16位
  组织方式:256K x 4 banks
  电压:3.3V(典型)
  访问时间:50ns
  封装形式:TSOP
  工作温度:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:异步
  数据宽度:16位
  刷新方式:自动刷新/自刷新
  功耗:低功耗CMOS技术

特性

IS41LV16105B-50KL具备多项高性能特性。首先,其高速访问时间为50ns,可满足对实时数据处理要求较高的应用需求。其次,该芯片采用低功耗CMOS技术,在保持高性能的同时显著降低功耗,适用于对能耗敏感的设备。此外,其支持自动刷新和自刷新功能,确保数据在不连续读写时的稳定性,同时减少系统控制器的负担。该芯片的异步接口设计使其兼容多种主控芯片和总线架构,具有良好的系统适配性。封装方面,采用TSOP(薄型小外形封装)形式,便于在空间受限的PCB设计中使用。最后,其工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)确保了在各种恶劣环境条件下的稳定运行。

应用

IS41LV16105B-50KL广泛应用于多种需要高速、低功耗存储的电子系统中。例如,在通信设备中,它可以作为缓存存储器,用于临时存储数据包和协议信息;在工业控制系统中,可用于高速数据采集和实时处理;在嵌入式系统中,作为主存储器或图形缓冲区,支持图形界面和数据处理任务。此外,该芯片也适用于测试设备、医疗仪器、网络设备以及视频采集和显示系统等应用场景。

替代型号

IS42S16100B-50TL, IS41LV16105A-50TL, CY7C1371B-SXCT, IS43LV16128A-50TL

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IS41LV16105B-50KL参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度16 bit
  • 组织1 Mbit x 16
  • 封装 / 箱体SOJ-42
  • 存储容量16 MB
  • 访问时间50 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流90 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 封装Tube
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量16