时间：2025/6/29 12:03:55
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PESDAWC236T5VU是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率电子开关器件，专为高频和高效率应用设计。它采用增强型GaN FET结构，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、通信设备和工业电源等场景。
该器件采用了表面贴装封装（TO-Leadless），使其具备优秀的散热性能和紧凑的设计，适合高密度PCB布局需求。其工作电压范围宽，能够承受较高的瞬态电压冲击，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
额定电压：600V
额定电流：25A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：15nC
反向恢复时间：无（由于GaN特性）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-Leadless
PESDAWC236T5VU的主要特性包括：
1. 高效的GaN技术提供更低的导通损耗和开关损耗。
2. 快速开关速度，减少死区时间和电磁干扰。
3. 紧凑型封装设计，支持更高的功率密度。
4. 宽禁带半导体材料，确保高温下的稳定性。
5. 内置过流保护功能，提升系统的可靠性。
6. 支持高达1MHz的工作频率，满足高频应用需求。
7. 符合RoHS标准，环保且兼容多种行业规范。
PESDAWC236T5VU广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 太阳能逆变器
4. 电动车充电模块
5. 工业电机驱动
6. 数据中心电源
7. 通信基站电源
8. 高频谐振转换器
其高效的特性和紧凑的设计使其成为现代电力电子系统中的理想选择。
PESD200N060C_G,
Nexperia_GANE060-200WSA,
Transphorm_TPH3206G-20L
