时间：2025/9/14 20:24:14
阅读：4
BUK9Y43-60E,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高可靠性的电源管理系统，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于广泛的工业、汽车和消费类应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：210A（在25°C下）
功耗（PD）：320W
导通电阻（RDS(on)）：4.3mΩ（最大值，典型值更低）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
极性：N 沟道增强型
BUK9Y43-60E,115 具备一系列优异的电气和热性能特性，使其在高功率应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于需要大电流驱动的场合，例如电机控制、电源转换和电池管理系统。
此外，BUK9Y43-60E,115 采用了坚固的硅技术，并结合了先进的封装技术，具备良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定工作。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C）使其适用于极端温度条件下的工业和汽车应用。
BUK9Y43-60E,115 广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
1. **电源管理**：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高能效和减小系统尺寸。
2. **电机控制**：在电动工具、工业自动化设备和电动汽车中，作为电机驱动电路的核心元件。
3. **电池管理系统**：用于高功率电池组的充放电控制，确保电池的安全和高效运行。
4. **汽车电子**：如车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块（BCM）等。
5. **工业自动化**：用于PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和电源分配系统中。
6. **消费电子产品**：如高性能笔记本电脑、服务器电源和高功率LED照明系统。
STP210N6F6AG, IRF2804PBF, FDP210N6A0L, BSC050N06LS
