时间：2025/6/10 16:56:52
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STS5NF60L 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 TO-220 封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率转换的场景。其低导通电阻和高电流能力使其在高效率设计中表现出色。
STS5NF60L 的最大漏源电压为 60V，适用于低压应用环境，同时具备快速开关速度和良好的热性能。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：14A
导通电阻（Rds(on)）：38mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：7nC（典型值）
总功耗：125W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
STS5NF60L 具有以下显著特性：
1. 高效的导通性能，导通电阻低至 38mΩ，从而减少功率损耗。
2. 快速的开关速度，有助于降低开关损耗并提高系统效率。
3. 热稳定性强，能够承受较高的工作温度范围。
4. 优异的抗雪崩能力，提升了器件在异常情况下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
这些特点使 STS5NF60L 成为许多低压功率应用的理想选择。
STS5NF60L 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率控制单元。
3. 逆变器及 UPS 系统中的关键功率转换部件。
4. 各类工业自动化设备中的负载控制。
5. LED 驱动器及其他需要高效功率管理的场合。
由于其出色的性能和可靠性，这款 MOSFET 在许多电子设计中被优先考虑。
IRF540N
STP55NF06L
FQP50N06L
