RGE7501MC 时间：2025/10/29 22:25:19 阅读：19

RGE7501MC是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的功率MOSFET器件，广泛应用于高效率电源转换系统中。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优异的热稳定性等优点，适用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电机驱动等多种电力电子应用场景。RGE7501MC属于N沟道增强型MOSFET，封装形式为小型化表面贴装类型，有助于节省PCB空间并提升系统集成度。其设计兼顾了性能与可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气特性，适合在工业控制、消费电子及通信设备等领域中使用。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对绿色制造的要求。RGE7501MC通过优化内部结构设计，有效降低了寄生参数，提升了整体开关效率，减少了能量损耗，从而有助于提高终端设备的能效等级。

参数

型号：RGE7501MC
　　制造商：Renesas Electronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：18A
　　导通电阻（RDS(on) max）：6.3mΩ @ VGS=10V, 9.5mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：1330pF @ VDS=15V
　　输出电容（Coss）：440pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：HSON-8 (Leadless Small Outline Package)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　通道数：单通道

特性

RGE7501MC采用了瑞萨先进的沟槽栅极工艺技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而在大电流应用中实现更低的导通损耗，提高了整体能效表现。其典型RDS(on)仅为6.3mΩ（在VGS=10V条件下），即使在低驱动电压下（如4.5V），也能维持9.5mΩ的低阻值，确保在宽输入电压范围内稳定工作。
　　该器件具有出色的开关特性，输入电容和输出电容较小，分别为1330pF和440pF，这有助于减少驱动电路的能量消耗，并加快开关响应速度，适用于高频开关电源设计。同时，较短的反向恢复时间（trr=18ns）意味着体二极管的恢复性能优良，可有效降低在同步整流或桥式电路中的交叉导通风险和电磁干扰（EMI）。
　　RGE7501MC的热阻特性经过优化，结到外壳的热阻（Rth(j-c)）较低，结合HSON-8封装良好的散热能力，使得器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，延长使用寿命并提升系统可靠性。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在瞬态过压或电流冲击下保持稳定，增强了系统的鲁棒性。其栅极氧化层经过严格工艺控制，支持±20V的栅源电压耐受能力，防止因驱动信号异常导致的器件损坏。
　　HSON-8封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备优异的机械强度和焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程。器件符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准，也可用于车载电子系统中，扩展了其应用边界。

应用

RGE7501MC适用于多种高效率、高密度电源管理系统。在DC-DC降压变换器中，常作为上管或下管用于同步整流拓扑，利用其低RDS(on)特性减少传导损耗，提升转换效率，特别适合于多相VRM（电压调节模块）设计，服务于高性能CPU或GPU供电需求。
　　在电池供电设备中，如笔记本电脑、平板和移动电源，该器件可用于负载开关或电源路径管理，实现快速开启/关断和低静态功耗运行，延长续航时间。
　　此外，RGE7501MC也广泛用于电机驱动电路，特别是在无刷直流电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动中，作为功率开关元件提供精确的电流控制能力，支持PWM调速功能。
　　在工业电源、服务器电源和通信电源系统中，该MOSFET可用于隔离型或非隔离型拓扑结构中的初级或次级侧开关，配合控制器实现高效能量传输。
　　由于其封装小型化且散热性能良好，RGE7501MC也适合用于空间受限的便携式医疗设备、智能家居控制模块和IoT网关等新兴领域。其高可靠性和宽温度工作范围使其能在恶劣环境条件下稳定运行，满足工业级和部分汽车级应用的需求。