T6130N 时间：2025/8/3 4:47:52 阅读：36

T6130N 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能、低功耗的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件主要用于高效率的电源管理应用，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机控制和负载开关等场景。T6130N采用先进的沟槽式栅极技术，提供优异的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，适用于高频率开关操作。该器件采用TO-220封装形式，具有良好的热性能和高可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：70A
　　导通电阻（Rds(on)）：12mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220

特性

T6130N 具有以下几个显著的技术特性：
　　1. **低导通电阻**：T6130N 的导通电阻（Rds(on)）仅为12mΩ，在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，有助于提高系统的整体效率。
　　2. **高电流能力**：该器件的最大连续漏极电流可达70A，适合用于高功率密度的设计，如电动工具、电动车控制器和高性能电源模块。
　　3. **快速开关特性**：T6130N 采用了先进的沟槽式栅极结构，具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。
　　4. **高可靠性与热性能**：TO-220封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下依然保持稳定运行。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了系统的鲁棒性。
　　5. **广泛的工作温度范围**：支持从-55°C到+175°C的宽温度范围，适用于严苛的工业和汽车应用环境。

应用

T6130N 被广泛应用于多种电力电子系统中，包括：
　　1. **直流-直流转换器**：由于其低导通电阻和快速开关特性，T6130N 适用于高效率的Buck、Boost和Buck-Boost转换器设计。
　　2. **开关电源（SMPS）**：在AC-DC电源模块中作为主开关器件或同步整流器件，提升整体效率。
　　3. **电机控制与驱动**：用于H桥电路或BLDC电机驱动器中，提供高效的功率输出。
　　4. **电池管理系统（BMS）**：作为高侧或低侧开关，用于电池充放电管理。
　　5. **工业与汽车电子**：如车载充电器、电动工具、逆变器等高功率应用场合。