时间：2025/7/1 2:09:21
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ESDQR5V0B 是一款专为保护电子设备免受静电放电（ESD）损害而设计的瞬态电压抑制二极管。它具有低电容特性，适用于高速数据线和信号线的保护。该器件采用 SOD-882 小型封装，非常适合空间受限的应用场景。
ESDQR5V0B 提供单向保护功能，能够在不影响信号完整性的前提下有效吸收 ESD 冲击和其他瞬态电压浪涌。其出色的响应速度使其成为高频率应用的理想选择。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：1.4A
最大反向工作电压：5.8V
击穿电压：6V
箝位电压：23V
结电容：0.1pF
响应时间：<1ns
封装形式：SOD-882
ESDQR5V0B 的主要特性包括：
1. 极低的结电容 (0.1pF)，适合高速数据线保护。
2. 快速响应时间 (<1ns)，可有效抑制瞬态电压。
3. 高度可靠的单向保护功能，确保电路稳定性。
4. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
5. 小型 SOD-882 封装节省 PCB 空间。
6. 工作温度范围广 (-55°C 至 +150°C)，适应各种环境条件。
7. 无铅且符合 RoHS 标准，环保性能优越。
ESDQR5V0B 广泛应用于需要 ESD 保护的场合，例如：
1. USB、HDMI 和其他高速接口线路。
2. 移动设备中的天线端口保护。
3. 汽车电子系统中的 CAN 总线和 LIN 总线保护。
4. 工业控制设备中的信号线路保护。
5. 无线通信模块的数据端口保护。
6. 医疗设备中的敏感信号线路保护。
7. 其他对尺寸和信号完整性有严格要求的电子设备中。
ESDQR5V0F, ESDQR5V0SL
