时间：2025/6/30 21:18:24
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GRT21BD71H225KE13L是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、高频开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽式结构和优化的芯片设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各类电源管理场景，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。
型号：GRT21BD71H225KE13L
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds)：70V
连续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：48nC
开关速度：超快
工作温度范围：-55℃ to 150℃
GRT21BD71H225KE13L采用了最新的半导体制造工艺，其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关性能，适合高频应用场合，减少开关损耗。
3. 高可靠性设计，能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。
4. 紧凑型封装，便于PCB布局和散热设计。
5. 支持宽广的工作温度范围，适应恶劣环境下的稳定运行。
这款MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器，用于高效能量转换。
3. 电机驱动电路，提供大电流输出能力。
4. 负载开关和保护电路，确保系统安全可靠运行。
5. 其他需要高性能功率开关的应用场景。
GRT21BD71H225KE12L, GRT21BD71H225KE14L
