ME6206A18PG是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
ME6206A18PG属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式为TO-220,这种封装方式可以有效提升散热性能,适合大功率应用场合。同时,它还具备优良的热稳定性和抗浪涌能力,使其能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:18A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:35nC
开关时间:开启延迟时间40ns,上升时间15ns,关断延迟时间25ns,下降时间10ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低功耗并提高效率。
2. 快速开关特性,有助于减少开关损耗。
3. 高额定电流能力,支持高负载需求的应用。
4. 强大的抗雪崩能力,提高了器件在异常情况下的耐受性。
5. TO-220标准封装,便于安装和散热设计。
6. 宽广的工作温度范围,适应各种环境条件。
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器中的功率开关元件。
4. 负载切换及保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的功率分配与控制单元。
ME6206A18P
IRFZ44N
FDP5570
STP18NF06L