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ME6206A18PG 发布时间 时间:2025/6/5 22:12:31 查看 阅读:9

ME6206A18PG是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和可靠性。
  ME6206A18PG属于N沟道增强型MOSFET,其封装形式为TO-220,这种封装方式可以有效提升散热性能,适合大功率应用场合。同时,它还具备优良的热稳定性和抗浪涌能力,使其能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关时间:开启延迟时间40ns,上升时间15ns,关断延迟时间25ns,下降时间10ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低功耗并提高效率。
  2. 快速开关特性,有助于减少开关损耗。
  3. 高额定电流能力,支持高负载需求的应用。
  4. 强大的抗雪崩能力,提高了器件在异常情况下的耐受性。
  5. TO-220标准封装,便于安装和散热设计。
  6. 宽广的工作温度范围,适应各种环境条件。

应用

1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. DC-DC转换器中的功率开关元件。
  4. 负载切换及保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 汽车电子系统中的功率分配与控制单元。

替代型号

ME6206A18P
  IRFZ44N
  FDP5570
  STP18NF06L

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