FN03X681K500PLG 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能等优点,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用。
FN03X681K500PLG基于N沟道增强型MOSFET技术设计,能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现。其封装形式为PLG系列,优化了散热性能并提供了更佳的电气连接。
型号:FN03X681K500PLG
类型:N沟道增强型MOSFET
Vds(漏源极电压):600V
Rds(on)(导通电阻):0.4Ω
Id(持续漏极电流):12A
Qg(栅极电荷):35nC
f(max)(最大工作频率):1MHz
封装:PLG
FN03X681K500PLG的核心特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on))确保在高电流负载下减少功耗,从而提高整体系统效率。
2. 快速开关能力使该器件能够适应高频应用环境,同时保持较低的开关损耗。
3. 具有较高的漏源极耐压(Vds),支持高达600V的工作电压,适合高压应用场景。
4. 热性能优异,结合PLG封装形式,能够有效散发运行过程中产生的热量。
5. 高可靠性设计确保长期稳定运行,满足工业级或汽车级应用需求。
该器件广泛应用于多种电力电子领域,具体包括:
1. 开关电源(SMPS)的设计,例如适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器中的功率级开关元件,用于实现高效的电压转换。
3. 电机驱动电路中作为主功率开关,控制电机的启动、停止和调速等功能。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块,如变频器和伺服驱动器。
5. 其他需要高压、高效能功率开关的应用场景。
IRFP460, STP17NF50, FDP18N65