时间:2025/11/8 5:08:07
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BR25L040F-WE2是一款由Rohm(罗姆)公司生产的串行EEPROM存储器芯片。该器件采用I2C总线接口,具有4 Kbit(512 x 8位)的存储容量,属于其BR25L系列的一部分,专为低功耗和高可靠性应用设计。该芯片广泛应用于需要非易失性数据存储的小型电子设备中,如消费类电子产品、工业控制模块、传感器校准数据保存以及各种嵌入式系统。BR25L040F-WE2采用紧凑的SOP8封装形式,适合空间受限的应用场景,并支持宽电压工作范围,增强了其在不同电源环境下的适应能力。该器件内置写保护功能,可防止因误操作导致的数据损坏,同时具备高耐久性的写入寿命(最多可达100万次)和长达40年的数据保持时间,确保长期稳定运行。此外,该芯片符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子产品制造。
品牌:Rohm
产品系列:BR25L
存储容量:4 Kbit
组织结构:512 x 8
接口类型:I2C(2线串行)
工作电压范围:1.7 V 至 5.5 V
最大时钟频率:1 MHz(Vcc ≥ 2.5 V),400 kHz(Vcc < 2.5 V)
写入寿命:1,000,000 次
数据保持时间:40 年
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:SOP8 (JEITA)
固定地址引脚:A0, A1, A2
写保护功能:有(通过WP引脚或软件命令)
自定时写周期:典型值5 ms
待机电流:最大1 μA(典型值0.1 μA)
工作电流:最大300 μA(读取模式)
BR25L040F-WE2具备多项关键特性,使其在同类串行EEPROM产品中表现出色。首先,它支持宽电压工作范围(1.7 V至5.5 V),这使得该芯片能够兼容多种供电系统,包括使用电池供电的低功耗设备以及标准5 V逻辑系统,极大地提升了其应用灵活性。其次,该器件支持最高1 MHz的I2C通信速率(当Vcc ≥ 2.5 V时),显著提高了数据传输效率,尤其适用于对响应速度有一定要求的实时控制系统。
该芯片集成了片上写保护机制,包含硬件写保护引脚(WP)和软件写保护命令两种方式。通过将WP引脚接地或拉高,用户可在外部控制整个存储阵列的写入权限;而软件写保护则允许更精细地锁定特定内存页,从而有效防止意外写入或恶意修改关键数据,保障系统安全性和稳定性。
BR25L040F-WE2具有卓越的耐久性和数据保持能力,支持高达100万次的擦写循环,并可在断电状态下可靠保存数据长达40年,远超一般应用需求,适用于需要频繁更新配置信息或日志记录的场合。此外,其极低的待机电流(典型值0.1 μA)和工作电流(最大300 μA)使其非常适合用于便携式设备或能量敏感型系统,有助于延长电池使用寿命。
该器件采用标准I2C协议,兼容性强,支持多设备共用总线,通过A0、A1、A2地址引脚可实现最多8个相同型号器件在同一总线上的并存,便于扩展存储容量或管理多个子系统。内置的自定时写周期简化了主机控制逻辑,无需外部延时控制即可完成写操作。整体设计注重可靠性与稳定性,在抗噪声、ESD防护等方面均达到工业级标准,确保在复杂电磁环境中仍能正常运行。
BR25L040F-WE2因其高可靠性、低功耗和小尺寸封装,被广泛应用于多种电子系统中。在消费类电子产品中,常用于电视、音响、机顶盒等设备中存储用户设置、音视频配置参数及固件校准数据。在工业自动化领域,可用于PLC模块、传感器节点和测量仪器中保存校准系数、设备序列号或运行日志,确保断电后信息不丢失。
在通信设备中,该芯片可用于存储网络配置信息、MAC地址或其他设备标识符,常见于路由器、交换机、IoT网关等产品中。医疗电子设备也常采用此类EEPROM来保存患者设置、设备校准数据或使用记录,满足长期稳定性和数据完整性的要求。
此外,BR25L040F-WE2还适用于汽车电子系统,如车载娱乐单元、仪表盘模块和车身控制模块,用于存储个性化设置或故障代码。其宽温工作范围(-40°C至+85°C)和高抗干扰能力使其能够在严苛环境下稳定运行。智能家居设备如智能灯控、温控器、门锁系统等也利用该芯片进行状态记忆和配置保存。
由于其SOP8封装体积小巧且易于焊接,适合自动化贴片生产,因此在大批量制造的电子产品中具有良好的可制造性。同时,其符合RoHS指令的要求,支持无铅焊接工艺,满足现代电子产品环保规范。总体而言,BR25L040F-WE2是一款通用性强、性能稳定的串行EEPROM解决方案,适用于任何需要安全、持久、低功耗非易失性存储的嵌入式应用场景。
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