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GRT21BC81E335KE13K 发布时间 时间:2025/7/9 20:51:13 查看 阅读:14

GRT21BC81E335KE13K 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理和电机驱动应用。
  其封装形式为 TO-263(DPAK),能够承受较高的电流和电压,并且具备出色的散热性能。由于其优异的电气特性和可靠性,GRT21BC81E335KE13K 广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:70nC
  功耗:90W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关特性,支持高频操作,减少开关损耗。
  4. 强大的热性能,有助于提升器件的长期稳定性和可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保设计。
  6. 提供强大的静电防护功能,增强抗干扰能力。
  7. 紧凑的封装形式节省了 PCB 空间,同时保持良好的散热表现。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS)。
  5. 充电器、逆变器以及其他需要高效功率管理的应用场景。
  6. LED 驱动电路及各种保护电路的设计。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP5810
  AO4402

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GRT21BC81E335KE13K参数

  • 现有数量15,147现货
  • 价格1 : ¥2.54000剪切带(CT)10,000 : ¥0.50867卷带(TR)
  • 系列GRT
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容3.3 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X6S
  • 工作温度-55°C ~ 105°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.055"(1.40mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-