时间：2025/7/9 20:51:13
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GRT21BC81E335KE13K 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理和电机驱动应用。
其封装形式为 TO-263（DPAK），能够承受较高的电流和电压，并且具备出色的散热性能。由于其优异的电气特性和可靠性，GRT21BC81E335KE13K 广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：70nC
功耗：90W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，适合大功率应用。
3. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 强大的热性能，有助于提升器件的长期稳定性和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计。
6. 提供强大的静电防护功能，增强抗干扰能力。
7. 紧凑的封装形式节省了 PCB 空间，同时保持良好的散热表现。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS)。
5. 充电器、逆变器以及其他需要高效功率管理的应用场景。
6. LED 驱动电路及各种保护电路的设计。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5810
AO4402
