时间：2024/8/23 14:33:16
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该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个具有由两个电阻器组成的单片偏置网络的单个晶体管；串联基极电阻器和基极-发射极电阻器。BRT通过将这些单独的组件集成到单个设备中来消除它们。使用快速公交系统可以降低系统成本和电路板空间。
?汽车和其他应用的S和NSV前缀
要求独特的现场和控制变更要求
AEC-Q101合格，PPAP能力
?简化电路设计
?减少电路板空间
?减少组件数量
?这些设备不含铅、不含卤素/BFR，符合RoHS标准
无卤素状态：Halogen Free
极性：PNP
耗散功率：0.385 W
击穿电压(集电极-发射极)：50 V
集电极最大允许电流：100mA
最小电流放大倍数(hFE)：35 5mA,10V
额定功率(Max)：385 mW
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：385 mW
安装方式：Surface Mount
引脚数：6
封装：SC-70-6
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：Tape&Reel(TR)
