时间：2025/7/3 19:24:53
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TBZT52B16S 是一款高可靠性、高效能的功率MOSFET器件，采用先进的制造工艺和封装技术。该器件主要应用于需要高频开关和低导通损耗的场景，例如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等。其优异的电气性能和散热特性使其成为许多工业及消费类电子产品的理想选择。
该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关速度的特点，同时支持较高的连续漏极电流和击穿电压，从而确保在各种复杂电路环境中的稳定运行。
型号：TBZT52B16S
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-263 (DPAK)
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：47A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ (典型值，Vgs=10V)
栅极电荷(Qg)：38nC
总功耗(Ptot)：25W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
热阻(结到壳)：1.3°C/W
TBZT52B16S 的设计旨在满足高性能功率转换应用的需求，其特性包括：
- 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
- 快速的开关速度，适合高频操作，降低开关损耗。
- 较高的额定电流和电压能力，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
- 优化的栅极电荷和输入电容，以降低驱动要求并简化电路设计。
- 符合RoHS标准，环保且无铅。
- 高效的散热设计，允许更高的功率密度。
- 良好的短路耐受能力，增强系统可靠性。
TBZT52B16S 广泛应用于以下领域：
- 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
- DC-DC转换器，如降压、升压和升降压拓扑结构。
- 电机驱动电路，适用于小型直流电机或步进电机控制。
- 电池保护和负载切换。
- 工业自动化设备中的功率控制模块。
- 消费类电子产品，如笔记本电脑适配器、LED驱动器等。
TBZT52B12S
TBZT52B15S
IRF540N
FDP5570
