时间：2025/7/10 9:30:05
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GRT155R71H333KE01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关应用领域。该器件采用了先进的制程工艺，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能，适合需要高效能和紧凑设计的应用场景。
该芯片属于沟道增强型 MOSFET，能够提供较高的电流承载能力和快速的开关速度，同时保持较低的功耗。其封装形式和电气特性使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：33A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：85nC
开关时间：ton=19ns, toff=34ns
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度和较低的栅极电荷，适用于高频开关应用。
3. 高度可靠的封装设计，能够承受恶劣的工作环境。
4. 提供卓越的热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。
5. 内置保护功能，如过流保护和短路耐受能力，提升了系统的安全性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 汽车电子系统中的电池管理与配电。
5. LED 照明驱动电路中的高效功率转换。
6. 其他需要高效功率管理的场景，例如不间断电源 (UPS) 和通信电源模块。
IRF3205, AO3400, FDP55N06L
