时间:2023/4/12 11:30:18
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NTR0202PLT1G参数
源漏极间雪崩电压VBR(V):20
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):800
最大漏极电流Id(on)(A):0.400
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
描述:-20 V, -400 mA,双功率MOSFET
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |