CSD95378BQ5M是TI(德州仪器)推出的一款高性能、高效率的集成半桥驱动器和功率MOSFET的电源管理芯片。该器件专为高频DC-DC转换应用设计,能够显著提高系统的效率和可靠性。它采用创新型的封装技术,将上下桥臂功率MOSFET与驱动器集成在一起,大幅减少了寄生电感的影响,同时简化了电路设计并提高了整体性能。
类型:功率MOSFET和驱动器集成模块
封装:QFN-10(5mm x 6mm)
VDS(漏源电压):30V
RDS(on)(导通电阻,典型值):4.2mΩ(高边),3.0mΩ(低边)
栅极电荷(Qg,典型值):16nC(高边),13nC(低边)
工作温度范围:-55°C至150°C
最大连续漏极电流:32A
热阻(结到壳):25°C/W
CSD95378BQ5M采用了TI先进的工艺技术,具有以下关键特性:
1. 高效的功率MOSFET集成设计,可减少寄生电感和开关损耗。
2. 内置优化的栅极驱动器,提供快速且可靠的开关性能。
3. 上下桥臂MOSFET经过精心匹配,确保死区时间最小化。
4. 超低导通电阻和栅极电荷,支持高频操作的同时保持高效率。
5. 支持高达32A的持续电流,适用于大功率密度应用。
6. 强大的热性能和耐用性,适合高温环境下的长时间运行。
7. 小型QFN封装有助于节省PCB空间,简化布局设计。
CSD95378BQ5M广泛应用于需要高效能和高可靠性的领域,包括但不限于:
1. 笔记本电脑和其他便携式设备中的多相电压调节器。
2. 服务器和通信设备中的DC-DC转换器。
3. 图形处理器(GPU)供电系统。
4. 工业自动化设备中的电源解决方案。
5. 电动工具及电池管理系统中的高效功率转换部分。
6. 汽车电子中的辅助电源模块。
该器件特别适合那些要求高效率、小尺寸和快速动态响应的应用场景。
CSD95378KCS, CSD95378Q5B