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CSD95378BQ5M 发布时间 时间:2025/5/6 17:03:33 查看 阅读:8

CSD95378BQ5M是TI(德州仪器)推出的一款高性能、高效率的集成半桥驱动器和功率MOSFET的电源管理芯片。该器件专为高频DC-DC转换应用设计,能够显著提高系统的效率和可靠性。它采用创新型的封装技术,将上下桥臂功率MOSFET与驱动器集成在一起,大幅减少了寄生电感的影响,同时简化了电路设计并提高了整体性能。

参数

类型:功率MOSFET和驱动器集成模块
  封装:QFN-10(5mm x 6mm)
  VDS(漏源电压):30V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):4.2mΩ(高边),3.0mΩ(低边)
  栅极电荷(Qg,典型值):16nC(高边),13nC(低边)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  最大连续漏极电流:32A
  热阻(结到壳):25°C/W

特性

CSD95378BQ5M采用了TI先进的工艺技术,具有以下关键特性:
  1. 高效的功率MOSFET集成设计,可减少寄生电感和开关损耗。
  2. 内置优化的栅极驱动器,提供快速且可靠的开关性能。
  3. 上下桥臂MOSFET经过精心匹配,确保死区时间最小化。
  4. 超低导通电阻和栅极电荷,支持高频操作的同时保持高效率。
  5. 支持高达32A的持续电流,适用于大功率密度应用。
  6. 强大的热性能和耐用性,适合高温环境下的长时间运行。
  7. 小型QFN封装有助于节省PCB空间,简化布局设计。

应用

CSD95378BQ5M广泛应用于需要高效能和高可靠性的领域,包括但不限于:
  1. 笔记本电脑和其他便携式设备中的多相电压调节器。
  2. 服务器和通信设备中的DC-DC转换器。
  3. 图形处理器(GPU)供电系统。
  4. 工业自动化设备中的电源解决方案。
  5. 电动工具及电池管理系统中的高效功率转换部分。
  6. 汽车电子中的辅助电源模块。
  该器件特别适合那些要求高效率、小尺寸和快速动态响应的应用场景。

替代型号

CSD95378KCS, CSD95378Q5B

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CSD95378BQ5M参数

  • 现有数量0现货10,000Factory查看交期
  • 价格1 : ¥38.24000剪切带(CT)2,500 : ¥21.65554卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 输出配置半桥
  • 应用同步降压转换器
  • 接口PWM
  • 负载类型电感
  • 技术功率 MOSFET
  • 导通电阻(典型值)-
  • 电流 - 输出/通道60A
  • 电流 - 峰值输出90A
  • 电压 - 供电4.5V ~ 5.5V
  • 电压 - 负载4.5V ~ 16V
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 特性自举电路,状态标志
  • 故障保护限流,超温,击穿,短路,UVLO
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳12-PowerLFDFN
  • 供应商器件封装12-LSON-CLIP(5x6)