时间：2025/7/3 16:39:56
阅读：17
GRT1555C1H300FA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺设计，具有低导通电阻和高效率的特点。该芯片适用于多种电源管理场景，如DC-DC转换器、开关电源、电机驱动等应用。其出色的电气特性和可靠性使其成为工业和消费电子领域中的理想选择。
该器件采用TO-263封装形式，具备良好的散热性能，并且支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和装配。
型号：GRT1555C1H300FA02D
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：3.0mΩ
Id（连续漏极电流）：150A
Pd（最大功耗）：180W
栅极电荷：47nC
总栅极电荷：68nC
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-263
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通损耗，提高整体系统效率。
2. 高额定电流能力，满足大功率应用场景的需求。
3. 快速开关速度，减少了开关损耗并提高了高频运行下的性能。
4. 出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的工作状态。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计，适合绿色能源应用。
6. 提供卓越的ESD保护功能，增强了芯片的耐用性和可靠性。
7. 支持表面贴装技术，简化了生产流程并提升了组装效率。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动和控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. 工业自动化设备
6. 通信电源
7. 汽车电子系统
8. 太阳能逆变器
9. LED照明驱动电路
IRF540N, FQP16N06L, STP100N06LL
