DMN4026SK3-13是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用DFN2020-6封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种功率转换和负载开关应用。其小尺寸和高效性能使其非常适合便携式设备、消费电子以及通信系统的电源管理需求。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):2.6A
导通电阻(Rds(on)):85mΩ(在Vgs=4.5V时)
总功耗(Ptot):0.4W
工作结温范围(Tj):-55°C至+150°C
封装类型:DFN2020-6
DMN4026SK3-13具有非常低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。有助于降低开关损耗,适合高频应用环境。
其紧凑的DFN2020-6封装节省了PCB空间,为设计者提供了更高的灵活性。
此外,该MOSFET具备优异的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠运行。
DMN4026SK3-13广泛应用于直流-直流转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动以及背光LED驱动等场景。
它特别适合用于对效率和空间要求较高的便携式电子产品,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙音箱。充电端口保护、音频放大器开关等功能模块。
DMN4026UKE-13
DMN4026SFE-13