时间：2025/7/8 20:04:15
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DMN4026SK3-13是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用DFN2020-6封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种功率转换和负载开关应用。其小尺寸和高效性能使其非常适合便携式设备、消费电子以及通信系统的电源管理需求。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：2.6A
导通电阻(Rds(on))：85mΩ（在Vgs=4.5V时）
总功耗(Ptot)：0.4W
工作结温范围(Tj)：-55°C至+150°C
封装类型：DFN2020-6
DMN4026SK3-13具有非常低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。有助于降低开关损耗，适合高频应用环境。
其紧凑的DFN2020-6封装节省了PCB空间，为设计者提供了更高的灵活性。
此外，该MOSFET具备优异的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
DMN4026SK3-13广泛应用于直流-直流转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动以及背光LED驱动等场景。
它特别适合用于对效率和空间要求较高的便携式电子产品，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙音箱。充电端口保护、音频放大器开关等功能模块。
DMN4026UKE-13
DMN4026SFE-13
