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DMN4026SK3-13 发布时间 时间:2025/7/8 20:04:15 查看 阅读:10

DMN4026SK3-13是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用DFN2020-6封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种功率转换和负载开关应用。其小尺寸和高效性能使其非常适合便携式设备、消费电子以及通信系统的电源管理需求。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):2.6A
  导通电阻(Rds(on)):85mΩ(在Vgs=4.5V时)
  总功耗(Ptot):0.4W
  工作结温范围(Tj):-55°C至+150°C
  封装类型:DFN2020-6

特性

DMN4026SK3-13具有非常低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。有助于降低开关损耗,适合高频应用环境。
  其紧凑的DFN2020-6封装节省了PCB空间,为设计者提供了更高的灵活性。
  此外,该MOSFET具备优异的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠运行。

应用

DMN4026SK3-13广泛应用于直流-直流转换器、负载开关、电池保护电路、电机驱动以及背光LED驱动等场景。
  它特别适合用于对效率和空间要求较高的便携式电子产品,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙音箱。充电端口保护、音频放大器开关等功能模块。

替代型号

DMN4026UKE-13
  DMN4026SFE-13

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DMN4026SK3-13参数

  • 现有数量2,405现货27,500Factory
  • 价格1 : ¥4.93000剪切带(CT)2,500 : ¥1.90632卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)28A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)24 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)21.3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1181 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.6W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252-3
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63