容量：256Kbit
　　组织方式：32K x 8
　　速度等级：70ns
　　电源电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　访问时间：70ns
　　工作电流（最大）：100mA
　　待机电流（最大）：10mA
　　数据输入/输出方式：三态缓冲输出
　　封装引脚数：54-pin

GM76C256CLWFW-70 是一款高性能的异步SRAM，采用CMOS技术制造，具备高速读写能力，访问时间仅为70ns，适用于需要快速响应的应用。该芯片支持3.3V电源电压，降低了功耗，同时保持了稳定的性能。其低待机电流特性（最大10mA）使其适合用于对能耗敏感的设备。该芯片采用TSOP封装，适合表面贴装工艺，广泛用于工业控制、网络设备、通信模块和嵌入式系统中。
　　该芯片的32K x 8位组织方式意味着它具有32,768个地址，每个地址存储8位数据，总容量为256Kbit。其三态缓冲输出允许数据总线在未被访问时保持高阻抗状态，从而避免总线冲突，提高系统稳定性。此外，该芯片支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），可在恶劣环境下稳定工作。
　　GM76C256CLWFW-70 采用了先进的CMOS工艺，使其在保证高速操作的同时，降低了功耗，特别是在待机模式下，电流消耗极低。这种低功耗设计使其适用于便携式设备、嵌入式系统和需要长时间运行的工业设备。TSOP封装形式不仅减小了芯片的体积，还提高了散热性能和电气性能，适合在高密度PCB布局中使用。

该芯片广泛应用于工业控制设备、网络路由器和交换机、通信模块、嵌入式系统、数据采集设备以及便携式电子产品中。由于其高速访问时间和低功耗特性，它也适用于实时控制系统和需要频繁数据存取的应用场景。

ISSI IS62C256AL-70SLI、Cypress CY62256NLL-70SXC、ON Semiconductor CAT62C256-70TE13、Alliance Memory AS6C256-70ASNTR、Renesas IDT7163S25PCFGI