时间：2025/7/12 1:49:08
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GR721BW0BB223KW03L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率、低损耗的电力电子应用设计。该芯片采用先进的制造工艺，具有出色的导通电阻和开关特性，适用于多种电源转换场景。
其封装形式和电气性能经过优化，能够在高频工作条件下保持稳定，并且支持大电流输出，非常适合用于 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动等场合。
类型：MOSFET
导通电阻（Rds(on)）：22 mΩ
最大漏源电压（Vds）：650 V
最大栅极驱动电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：14 A
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提升系统效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 内置保护功能（如过温保护和过流限制），增强器件可靠性。
4. 大电流处理能力，能够满足高功率需求的应用。
5. 宽泛的工作温度范围，确保在极端条件下的稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. DC-DC 转换器
4. 光伏逆变器
5. 工业自动化设备
6. 电动汽车辅助系统
7. 不间断电源（UPS）
IRF840,
STP14NM65,
FDP15N65S,
IXFN14N65T2
