UT61M256JC-15 是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用CMOS工艺制造,具有高可靠性和稳定性。它通常用于需要快速数据访问和临时数据存储的应用场景。这款SRAM提供256K x 18位的存储容量,适合用作缓冲存储器、帧缓冲器以及其他对速度和可靠性要求较高的应用。
该器件支持3.3V或5V电源电压操作,具体取决于型号后缀。此外,其封装形式为TQFP-100,适合表面贴装技术(SMT)应用。
存储容量:256K x 18位
电源电压:3.3V 或 5V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
数据存取时间:10ns
封装形式:TQFP-100
I/O 数量:36
数据宽度:18 位
1. 高速操作能力,支持10ns的数据存取时间,适用于实时数据处理场景。
2. CMOS 工艺实现低功耗运行,在待机模式下功耗极低。
3. 提供两种供电电压选项(3.3V 和 5V),适应不同的系统设计需求。
4. 大容量的256K x 18位存储空间,满足复杂应用中的数据缓存需求。
5. 支持硬件写保护功能,防止意外写入或覆盖关键数据。
6. 宽工作温度范围(-40°C 至 +85°C),确保在各种环境下的稳定性能。
UT61M256JC-15 主要应用于以下领域:
1. 工业控制设备,如可编程逻辑控制器(PLC)和数据采集系统。
2. 医疗仪器,例如超声波设备和心电图仪中的高速数据缓存。
3. 通信设备,包括路由器、交换机以及网络接口卡的临时数据存储。
4. 图形处理单元(GPU)相关的帧缓冲器应用。
5. 嵌入式系统中的高速缓存模块,提高整体系统的响应速度。
CY7C1049V33, IS61WV25618BLL-12I, AS6C256N-10LC