类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：18A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V @ 250μA
　　功率耗散（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB

GLZ18BT/R MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。这种低 Rds(on) 特性使其在高电流应用中表现优异。
　　此外，该器件具有高达 600V 的漏源击穿电压，适用于多种高压功率转换场景。其高电流容量（18A）确保了在重载条件下依然能够稳定工作。
　　该 MOSFET 还具备良好的热性能，采用 TO-220AB 封装，具备良好的散热能力，能够在较高功率下保持稳定运行，适合工业级和汽车电子应用。
　　GLZ18BT/R 的栅极驱动电压为 4.5V 至 10V，兼容常见的驱动电路设计，便于集成到各种开关电源和控制电路中。其栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并降低开关损耗。
　　该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在短时过载或瞬态条件下提供更好的稳定性和可靠性。

GLZ18BT/R 常用于各种功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS 不间断电源、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。
　　由于其高耐压和大电流能力，该 MOSFET 非常适合用于高压直流电源转换和功率因数校正（PFC）电路中。
　　在汽车电子领域，GLZ18BT/R 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等应用，提供可靠的功率控制和高效的能量转换。
　　此外，该器件也可用于工业控制系统的功率开关，如 PLC 控制器中的执行器驱动电路，提供快速响应和稳定的性能。

IXFH18N60P、IRF840、FDPF18N60、STF18N60M2