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STTH812FP 发布时间 时间:2025/5/9 14:21:09 查看 阅读:7

STTH812FP是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款双极性晶体管(BJT),采用SOT-363封装。该器件具有低饱和电压和高增益的特点,适用于各种开关和线性应用。其设计旨在优化空间受限的应用场合,例如消费电子、通信设备以及工业控制等。

参数

集电极-发射极饱和电压:0.2V
  最大集电极电流:50mA
  直流电流增益hFE:最小值100,典型值300
  集电极-发射极击穿电压:30V
  功耗:125mW
  工作温度范围:-40℃至+125℃

特性

STTH812FP晶体管采用了先进的制造工艺,具备以下特点:
  1. 低饱和电压使得该器件在开关应用中能够有效降低功率损耗。
  2. 高增益确保了即使输入信号较弱时也能实现可靠的放大或切换功能。
  3. 小型化的SOT-363封装使其非常适合于对空间要求严格的便携式设备。
  4. 宽泛的工作温度范围让其能够在恶劣环境下稳定运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且易于焊接。

应用

该晶体管广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的信号切换与放大电路。
  2. 工业自动化控制系统中的传感器接口及驱动电路。
  3. 通信设备中的电源管理单元。
  4. 各种手持设备的电池充电保护电路。
  5. LED驱动电路以及其他需要高性能开关或放大功能的场合。

替代型号

BC817-25, BC847B

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STTH812FP参数

  • 其它有关文件STTH812 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)1200V(1.2kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io)8A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)2.2V @ 8A
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)100ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电8µA @ 1200V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2 全封装,隔离接片
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称497-7610-5STTH812FP-ND