GL9P03D 时间：2025/8/28 18:40:45 阅读：6

GL9P03D是一款由Global Mixed-mode Technology Inc.（GMT）生产的功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器等高效率电源系统中。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于各种需要高效能和高可靠性的场合。GL9P03D采用TO-252（DPAK）封装形式，便于在PCB上安装和散热。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

GL9P03D采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。其导通电阻仅为3.2mΩ，在Vgs=10V时能够显著减少在高电流应用中的功率损耗，适用于高效率电源转换系统。此外，该器件的漏源电压为30V，连续漏极电流可达100A，使其适用于高功率密度的设计。TO-252（DPAK）封装具备良好的热管理性能，有助于热量的快速散发，从而提升器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。
　　该MOSFET具有较高的栅极绝缘能力，最大栅源电压为±20V，增强了在高频开关应用中的稳定性。其快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频率DC-DC转换器和同步整流电路。此外，GL9P03D的工作温度范围为-55℃至150℃，确保其在恶劣环境条件下仍能保持良好的性能。

应用

GL9P03D适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源适配器以及服务器和通信设备的电源模块。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源设计的理想选择。在同步整流应用中，该器件能够显著提升电源转换效率，减少能量损耗。此外，其良好的热性能和高可靠性也使其适用于工业控制和汽车电子中的高要求应用场景。